N° Dépôt :

60442

Date de Dépôt :

15.05.2023

Demandeur(s) :

Université Moulay Ismail, B.P 298, Poste Principale, Marjane 2, 50050 Meknès (MA)

Inventeur(s) :

LAHSAINI Mohammed ; BOUMALKHA Mohamed ; ARCHIDI Moulay El Hassane

Abrégé : La présente invention propose une approche de conception pour un amplificateur de puissance (PA) de classe F inverse (F-1) à rendement amélioré avec un nouveau circuit de contrôle des harmoniques (HCC) à base de métamatériaux. Dans l'approche proposée, le HCC comprend deux cellules résonnantes inspirées par des résonateurs à anneau fendu complémentaire (CSRR) de forme carrée, qui sont configurées pour supprimer les harmoniques indésirables et obtenir les formes d'onde souhaitées. L'accent est mis sur l'utilisation des CSRR pour créer un résonateur shunt gravé dans le motif conducteur du HCC proposé, capable de supprimer les deuxième et troisième harmoniques indésirables. À des fins de démonstration, la technique innovante est validée par la conception d'un PA de classe F-1 utilisant un dispositif encapsulé GaN HEMT de 10 W disponible dans le commerce. Le PA de classe F-1 proposé présente un gain de 17,4 dB, une puissance de sortie saturée de 41,34 dBm, un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 78,34 % et un rendement de drain (DE) de 83,6 % à la fréquence de fonctionnement de 3,5 GHz. Les performances pertinentes obtenues confirment l'efficacité de l'approche proposée pour les systèmes de communication 5G.