| (71) | Demandeur(s) : Université Moulay Ismail, Présidence, Marjane 2, BP: 298, Meknès, 50000 (MA) |
| (57) | Abrégé : La présente invention concerne un amplificateur de puissance large bande en bande S en technologie microruban. L'amplificateur de puissance proposé est modélisé avec une architecture à un seul étage à base d'un transistor à effet de champ, le transistor utilisé a été polarisé avec des lignes de transmission et il a été adapté avec des réseaux d'adaptation sous forme de filtres à transformateurs À./4 en entrée et en sortie. Les résultats de simulation de la puissance de sortie et des paramètres S montrent d'excellentes caractéristiques avec un gain satisfaisant supérieur à 10,9 dB, des réflexions faibles, une puissance de sortie saturée de 16,4 dBm avec un point de compression d' 1 dB à un niveau de puissance d'entrée d'environ 5 dBm, un PAE (Power-Added Efficiency) maximale de 25,3 % et une stabilité inconditionnelle dans la plage de fréquence souhaitée. L'amplificateur modélisé peut être intégré dans les systèmes de communications mobiles à savoir les réseaux mobiles LTE (2500 à 2690 MHz) et les réseaux sans fil utilisant le protocole Wi-Fi (2400 à 2485 MHz). |
