| (21) | N° Dépôt : 41724 | | (22) | Date de Dépôt : 25.12.2017 | | (71) | Demandeur(s) : MOROCCAN FOUNDATION FOR ADVANCED SCIENCE, INNOVATION AND RESEARCH (MAScIR), Rabat Design Center, Rue Mohamed Al Jazouli Madinat Al Irfane, Rabat, 10100 (MA) | | (72) | Inventeur(s) : SEKKAT ZOUHEIR ; LAGHFOUR ZAKARIA ; AAZOU SAFAE | | (74) | Mandataire : AMMANI ABDELHAQ | | (54) | Titre : Procédé de dépôt de couches minces d’oxyde d'étain dopé au fluor (FTO) par pulvérisation ultrasonique | | (57) | Abrégé : La présente invention concerne des couches minces. Elle concerne en particulier un procédé de dépôt de couche mince par pulvérisation ultrasonique. Le procédé de dépôt de couche mince à base d’oxyde d’étain dopé au fluor (FTO) sous les conditions atmosphériques selon l’invention se caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes: - Préparation d’une solution (1) à partir de 5g de SnCl2.H2O à dissoudre dans 25ml du méthanol, Préparation d’une solution (2) à partir de 0.75g NH4F à dissoudre dans 25ml de l’eau ionisée, Mélanger les deux solutions (1) et (2) et Ajouter 50ml de l’eau ionisée pour former un mélange eau: méthanol, Ajouter 1ml de HCl (goute à goute) pour obtenir une solution transparente, à fin de former la molécule HSnCl3 neutre qui sert à améliorer la croissance du film FTO grâce à leur forte réactivité. Remplissage du bain pulvérisateur à ultrason par la solution préparée, les paramètres de réglage du générateur d’ultrasons sont effectués entre 1~2MH et un débit de 2L/min. Pulvérisation de la solution transformée en microgouttes et transférée par un tube prés du substrat de verre chauffé. |
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