| (21) | N° Dépôt : 40707 |
| (22) | Date de Dépôt : 21.07.2017 |
| (71) | Demandeur(s) : UNIVERSITE CADI AYYAD, BOULEVARD PRINCE MY ABDELLAH, B.P. 511 MARRAKECH 40000 (MA) |
| (72) | Inventeur(s) : DRISS SOUBANE ; TSUNEYUKI OZAKI ; NATHANIEL QUITORIANO |
| (74) | Mandataire : ABDELLATIF SOUHEL |
| (54) | Titre : MEMRISTOR TOTALEMENT COMPATIBLE AVEC LA TECHNOLOGIE CMOS |
| (57) | Abrégé : Le memristor inventé ici est basé sur la structure MIS (métal-Isolant-Semiconducteur). Il est fabriqué par l'incorporation des nano-cristaux de silicium de différentes tailles obtenus à basse température 550°C dans un diélectrique de l'oxyde de silicium non stoechiométrique. Ce memristor est complètement compatible avec la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor). Il représente une des approches les plus prometteuses pour prolonger la seconde loi de Gordon Moore. Le memristor se comporte comme une synapse et sa durée de basculassions (Switch) entre les diffèrent états est de l'ordre des nanosecondes. Le memristor combine les avantages de la mémoire RAM (Randon Access Memory) et ceux de la ROM (Read Only Memory). C'est un dispositif qui permet la transition préliminaire entre l'intelligence artificielle et humaine projetée selon des chercheurs en 2057 l'ère connue sous le nom de' singularité'. |
