| (57) | Abrégé : La présente invention concerne un nouveau dimensionnement basé sur des concepts quantiques permettant d'améliorer théoriquement et pratiquement le rendement photovoltaïque, et piéger le maximum de charges électriques dans une surface optimisée tout en respectant l'équilibre du voltage et ampérage, en se basant sur la constante de voltage donnée par le silicium cristallin sur lmnf et passer par la suite par l'une des cinq formes possible de contact (Figl) , ces formes permettent d'avoir lmA par millimètre de contact, pour en suite construire des unités de base équilibrées et rentables (Fig2). Le procédé de l'invention permet d'avoirune cellule par l'assemblage en série des unités de base jusqu'au voltage désiré, par la suite la constitution du module par la mise en parallèle des cellules, et enfin le montage du panneau par la mise en série des modules. L'invention présente un procédé innovant qui a permis d'atteindre des valeurs de 1 et V et P très importante dans de petite surface, validé théoriquement et pratiquement et d'avoir des cellules, modules, et panneaux très rentable et qui sera applicable sur n'importe quelle chaine de production photovoltaïque mondiale dans les dernières phases pour en sortir avec ces produits. |
