| (57) | Abrégé : Cette invention concerne les amplificateurs à faible bruit qui jouent un rôle très important dans les circuits radiofréquences des chaînes de réception des systèmes de communications sans fil et mobiles et des systèmes radars. Pour arriver à ce résultat nous avons opté pour la conception d'un amplificateur à faible bruit utilisant la technologie micro-rubans imprimées sur un substrat diélectrique de FR4 de permittivité 4.4 et d'épaisseur 1.5mm. Le circuit de cet AFB comporte plusieurs composants électroniques (Table 1), une entrée, une sortie (adaptées à 50 ohms), des circuits d'adaptation, deux boucles de contre-réaction et de deux étages amplificateurs à Transistor GaAs MESFET ATF-I0136 (Figure 1 et 2). Le gain de cet AFB est situé entre 7 et 13.6 dB (Figure 3). Par ailleurs, son facteur de bruit est très faible et est inférieur à 3.6dB (Figure 4). |
