(21) | N° Dépôt : 38013 |
(22) | Date de Dépôt : 20.04.2015 |
(30) | Données de Priorité : 23.10.2012 US 13/658,778 |
(86) | Données relatives à l'entrée en phase nationale selon le PCT : PCT/US2013/06559218.10.2013 |
(71) | Demandeur(s) : QUALCOMM INCORPORATED, Attn: International Ip Administration
5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US) |
(72) | Inventeur(s) : LI, Miao ; ZHUANG, Jingcheng ; HU, Yan ; BAI, Xiaoliang ; KANG, Jing |
(74) | Mandataire : ABU-GHAZALEH INTELLECTUAL PROPERTY TMP AGENTS |
(54) | Titre : PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS DE CORRESPONDANCE DE CARACTÉRISTIQUES DE LIGNE DE TRANSMISSION UTILISANT DES TRANSISTORS À SEMI-CONDUCTEUR EN MÉTAL-OXYDE (MOS) EMPILÉS |
(57) | Abrégé : Selon l'invention, un dispositif de commande de sortie pour protection contre les décharges électrostatiques (ESD) comprend une première paire de dispositifs à transistor à effet de champ à semi-conducteur en métal-oxyde (MOS) empilés couplés entre une borne d'alimentation et une première borne de sortie différentielle. Le dispositif de commande de sortie comprend également une seconde paire de dispositifs MOS empilés couplés entre une seconde borne de sortie différentielle et une borne de masse. |