| (57) | Abrégé : Procédé de métallisation 'à base de,cuivre de ligne de connexion (RDL) 32 et de vias traversant 34 (Fig .lA) destiné à la fabrication d'un circuit intégré en généralet d'un capteur d'image en particulier en utilisant ta technologie Wafer Level Packaging 3D , permettant de réduire le cO,ût defabrication et d'avoir une meilleure performance électrique au niveau du dit capteur d'image 1 notamment pour la réalisation des interconnexions dans des circuits intégrés en trois dimensions. |
