| (21) | N° Dépôt : 34320 | | (22) | Date de Dépôt : 01.11.2011 | | (30) | Données de Priorité : 07.04.2009 US 61/167,349 | | (86) | Données relatives à l'entrée en phase nationale selon le PCT : PCT/US2010/03019907.04.2010 | | (71) | Demandeur(s) : - AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA, INC, 11175 CICERO DRIVE, SUITE 400 ALPHARETTA GEORGIA 30022 (US)
- ASAHI GLASS CO., LTD, 1-12-1 YURAKUCHO CHIYODA-KU TOKYO 100-8405 (JP)
| | (72) | Inventeur(s) : CORDING, Christopher, R. ; SPENCER, Matthew ; MASUMO, Kunio | | (74) | Mandataire : ABU-GHAZALEH INTELLECTUAL PROPERTY (TMP AGENTS) | | (54) | Titre : DEPOT DE FILM MINCE AU SILICIUM AMELIORE POUR APPLICATIONS A DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES | | (57) | Abrégé : LA PRÉSENTE INVENTION PORTE SUR DES PROCÉDÉS RENTABLES DE DÉPÔT EN LIGNE DE COUCHES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES. PLUS SPÉCIFIQUEMENT, LA PRÉSENTE INVENTION PORTE SUR DES PROCÉDÉS DE DÉPÔT PYROLYTIQUE EN LIGNE POUR LE DÉPÔT DE COUCHES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE P, DE TYPE N ET DE TYPE I DANS LES PROCESSUS DE PRODUCTION DE VERRE FLOTTÉ. EN OUTRE, LA PRÉSENTE INVENTION PORTE SUR DES PROCÉDÉS DE DÉPÔT PYROLYTIQUE EN LIGNE POUR LA PRODUCTION DE COUCHES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE P-(I-)N ET N-(I-)P À JONCTION SIMPLE, DOUBLE, TRIPLE ET MULTIPLE. CES COUCHES MÉTALLIQUES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE P, DE TYPE N ET DE TYPE I SONT UTILES DANS L'INDUSTRIE PHOTOVOLTAÏQUE ET INTÉRESSANTES POUR DES FABRICANTS DE MODULES PHOTOVOLTAÏQUES EN TANT QUE PRODUITS « À VALEUR AJOUTÉE. » |
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